삼성전자, SAP와 ‘공동 리서치센터’ 운영… 고용량 메모리 시대 주도

삼성전자가 업계 최초로 글로벌 소프트웨어업체 SAP와 협력해 차세대 메모리를 개발하며 고용량 메모리 시대를 주도한다.

삼성전자는 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 ‘공동 리서치센터’를 다음 달부터 운영한다고 29일 밝혔다. 인메모리 데이터베이스는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리속도를 크게 향상시키는 기술이다.

삼성전자와 SAP는 이날 경기도 화성 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴 SAP 아시아 태평양 지역 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치센터 개소식을 가졌다.

삼성전자와 SAP는 지난해 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA(SAP의 인메모리 플랫폼 이름)’ 공동 기술 개발에 합의했다. 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발조직 SAP Labs Korea는 협업을 통해 리서치센터 설립을 추진했다. 이를 위해 지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 ‘차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)’을 체결했다.

삼성전자 부품연구동에 설립된 공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다. 양사는 글로벌 고객들이 SAP HANA를 도입하기 전 리서치센터에서 시험운용 등 제반지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반평가도 진행될 예정이다.

양사는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 SAP HANA를 구현해한 데 이어 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다. 더불어 시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션도 개발할 방침이다.

전 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다”며 “향후 기술 리더십을 더욱 강화해 고용량 메모리 시대를 지속 주도해 나갈 것”이라고 말했다.