지난 5년간 스토리지 클래스 메모리 관련 출원 건수가 이전 5년 대비 4배 이상으로 증가했다.
특허청은 2014~2018년(5년간) 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연평균 46건으로, 이전 2009~2013년(5년간) 11건의 4배 이상으로 늘었다고 8일 밝혔다.
세부 기술별로 보면 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술(58%)이 가장 많고, 스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시 메모리로 사용하는 기술(17%) 순으로 조사됐다.
지난 10년간 출원인별 특허출원 동향을 살펴보면, 메모리 반도체 기술 특성상 기업 및 대학·연구소가 대다수(99%)를 차지하고 있는데, 주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK 하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 순으로 조사됐다.
삼성전자와 SK 하이닉스는 기존 D램 분야에서 축적한 기술적 우위를 바탕으로 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 활용하는 방안에 관심을 둔 것으로 보인다. 반면 미국의 인텔은 마이크론과 공동 개발한 비휘발성 메모리 기술인 3DXpoint를 활용해 주기억장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하는 연구에 중점을 둔 것으로 판단된다.
이동영 특허청 전자부품심사과장은 “D램 및 플래시 메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에는 스토리지 클래스 메모리 등장이 위기일 수 있다”며 “이러한 위기를 기회로 바꾸기 위해서는 스토리지 클래스 메모리에 대한 관련 기술 동향 분석 및 연구개발을 지속할 필요가 있다”고 말했다.