[혁신기술] 삼성전자, EUV 공정으로 반도체 초격차 구현

▲삼성전자 평택 2라인 전경 (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 최첨단 EUV(극자외선) 공정으로 반도체 산업에서 다시 한번 초격차를 벌려가고 있다.

삼성전자는 올해 8월에는 업계 최초로 7나노 EUV 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 ‘X-Cube(eXtended-Cube)’를 적용한 테스트칩 생산에 성공했다. 이로써 삼성전자는 최첨단 EUV 초미세 전공정뿐 아니라 후공정에서도 첨단 기술 경쟁력을 확보하게 됐다.

‘X-Cube’는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층해 하나의 반도체로 만드는 기술이다.

이 기술은 슈퍼컴퓨터·인공지능·5G 등 고성능 시스템반도체를 요구하는 분야는 물론 스마트폰과 웨어러블 기기의 경쟁력을 높일 수 있는 핵심 기술로 활용될 것으로 예상된다.

삼성전자는 하반기부터 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. 이 라인에서는 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다.

삼성전자는 앞서 올해 2월부터 화성사업장 EUV 전용 반도체 생산라인 ‘V1 라인’을 본격적으로 가동했다. 이 라인은 삼성전자의 첫 EUV 전용 라인으로 최근 본격적으로 7나노 이하 반도체 생산에 돌입했으며, 앞으로 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

당시 이재용 삼성전자 부회장은 화성사업장을 찾아 “지난해 우리는 이 자리에 시스템반도체 세계 1등의 비전을 심었고, 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 끼웠다. 이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자”고 임직원들에게 당부했다.

삼성전자는 지난해 ‘반도체 비전 2030’을 발표하고 시스템반도체에 133조 원 투자 및 1만5000명 채용, 생태계 육성 지원방안 등을 밝힌 바 있다.