DB하이텍, 에이프로세미콘과 ‘GaN 전력반도체’ 공동 개발

▲조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장 부사장(오른쪽)과 임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)가 GaN 전력반도체 파운드리 공정기술 개발 업무협약 체결 후 기념촬영을 했다. (사진제공=DB하이텍)

DB하이텍이 에이프로세미콘과 ‘GaN(질화갈륨) 전력반도체’ 개발에 나선다. 이번 협력으로 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 DB하이텍은 팹리스(반도체 설계) 회사인 에이프로세미콘와 시너지 효과를 기대하고 있다.

DB하이텍은 경기도 군포시에 있는 에이프로 본사에서 성공적인 파운드리 공정기술개발을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 22일 밝혔다.

양사는 올해부터 2024년까지 ‘GaN 전력반도체 파운드리 공정기술개발’을 추진하고 에이프로세미콘이 제조하는 8인치 GaN 에피웨이퍼 제품을 적용하는 등 포괄적인 협력관계를 구축할 예정이다.

GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 갖고 있다. 휴대폰, 노트북 등 소형 가전에 주로 사용되며 최근 전기차 내부 전원장치, 자율주행용 라이다 센서 등으로 적용이 확대되는 차세대 전력반도체다.

또 차세대 웨이퍼로 불리는 GaN 에피웨이퍼는 결함을 제거하고 순도를 높여 기존 실리콘 웨이퍼 대비 전력 변환 효율이 높다. 에이프로세미콘은 GaN 에피웨이퍼 제조기술과 GaN 전력반도체 소자 공정에 대한 기술을 보유하고 있다.

이번 협약으로 DB하이텍은 차세대 전력반도체 시장에 빠르게 진입할 수 있는 계기를 마련했으며 안정적인 수요처도 확보했다. 해외 파운드리에 의존해왔던 에이프로세미콘은 국내에 안정적인 위탁 파트너를 얻게 됐다.

양사는 △소재(에이프로세미콘) △부품(DB하이텍) △장비(에이프로)로 이어지는 밸류체인을 형성해 주요 핵심기술의 국산화ㆍ내재화와 함께 부가적인 시너지를 기대할 수 있게 됐다.

DB하이텍 관계자는 “GaN 전력반도체는 스마트폰 및 각종 IT기기의 급속충전, 데이터센터 등에서 그 수요가 급증할 것으로 예상된다”며 “에이프로세미콘과의 이번 기술협력으로 미래 성장동력을 확보하고 급성장하는 차세대 고부가 전력반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”고 말했다.