SK하이닉스 용인 반도체 산단 찾은 산업장관 '인프라 적기 구축' 약속

▲안덕근 산업통상자원부 장관(오른쪽)이 21일 경기도 용신시 SK 하이닉스 용인 반도체 클러스터를 찾아 관계자에게 공사 진행 현황을 듣고 있다. (사진제공=산업통상자원부)

공정률 35%인 SK하이닉스 용인 반도체 일반산단을 찾은 안덕근 산업통상자원부 장관이 기반시설(인프라)의 적기 구축을 약속했다.

안 장관은 21일 '반도체 메가 클러스터 조성 방안'의 핵심 지역인 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 찾았다.

이 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인허가 문제로 개발이 지연됐으나 2022년 11월 당·정·지자체·기업 간 상생 협약이 체결되면서 사업이 본궤도에 올랐다.

현재 1기 팹(Fab·실리콘 웨이퍼 제조 시설) 부지는 약 35%의 공정률을 보이며, 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다.

2046년까지 120조 원 이상 투자를 통해 총 4기 Fab 구축을 목표로 하고 있고, 내년 3월에는 생산 Fab 1기가 착공될 예정이다. 생산 Fab 완공 시 '세계 최대 규모의 3층 Fab'이 될 전망이다.

이날 기업 간담회에서 안 장관은 인프라의 적기 구축을 비롯해 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화도 약속했다.

▲SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단 조감도 (사진제공=산업통상자원부)

산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하기 위해 지난달 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 이달 안에 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담 부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다.

또한 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화 방안을 올해 상반기에 선보일 예정이다.

이에 더해 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 ‘미니팹 사업’에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행하고, 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다.

안 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심해 대응하겠다"라며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극적으로 지원할 것"이라고 말했다.