SK하이닉스, ‘FMS 2024’ 참가… 3분기 양산 HBM3E 등 공개

▲HBM3E (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 행사에 참가해 3분기 양산 예정인 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E 등을 공개한다.

SK하이닉스는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 ‘FMS 2024’에 참가해 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 이 분야 미래 비전을 제시한다고 1일 밝혔다.

FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다.

이에 따라 행사명이 기존 ‘Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)’에서 ‘Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)’로 리브랜딩(Re-branding)됐다.

SK하이닉스는 “FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다”며 “AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다”고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다.

행사 첫날인 6일 SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)’을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다.

▲321단 낸드 (사진제공=SK하이닉스)

회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다.

이와 함께 SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다.

회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 ‘FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스’에 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장이 ‘SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해’를 주제로 발표를 진행한다.

SK하이닉스 AI 인프라 담당 김주선 사장은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며,“이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.