[종합] SK하이닉스, 최고속 'HBM D램' 신제품 개발…2020년 양산

▲SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램 (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 대내외적 불확실성이 높은 상황에서도 머신러닝, AI(인공지능) 등 미래 핵심 산업에 적용되는 메모리 반도체 신제품 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 HBM2E D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

SK하이닉스가 세계 최초로 출시했던 HBM(고대역폭메모리) D램은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다.

HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E D램은 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte(기가바이트)의 데이터를 처리해 풀HD급 영화 124편 분량의 데이터를 1초 만에 다운받을 수 있다.

용량은 16GB로, 단일 제품 기준으로 16Gb(기가비트) 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 구현했다.

HBM D램은 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 약 5%에 불과할 정도로 시장 규모가 크지 않다.

하지만 고성능 GPU(그래픽처리장치)를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등에 사용돼 수요가 증가할 가능성은 높다.

가격 또한 일반 D램과 비교했을 때 최대 5배가량 비싸 회사 수익에도 도움이 된다.

성장하고 있는 HBM D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 간 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 보인다.

삼성전자는 올해 3월 미국에서 열린 엔비디아 주최 GPU 기술 콘퍼런스에서 HBM2E D램을 이미 선보인 바 있다.

행사에서 공개된 삼성전자의 차세대 HBM D램은 데이터 전송 속도를 초당 최대 410GByte로 구현했다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “당사는 기술경쟁력을 바탕으로 HBM D램 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 설명했다.