DRAM업계 구조조정 섬성·하이닉스 위협

삼성전자와 하이닉스반도체가 세계 DRAM업계 구조개편의 영향으로 1·2위 자리를 위협받을 수 있다는 보고서가 나왔다.

23일 한국반도체산업협회는 'DRAM업계의 구조개편 동향' 보고서에서 엘피다와 마이크론을 중심으로 한 DRAM기업간 업무제휴가 이뤄지면서 삼성과 하이닉스 등과의 시장점유율 격차가 역전되거나 대폭 감소할 것으로 예상된다고 밝혔다.

자료에 따르면 지난 4월 DRAM 대기업 5대 메이커에 속하는 기업 중 2건의 제휴가 발표되는 등 업계의 합종연횡으로 지금까지 형성돼 온 5대그룹이 무너져 4대그룹으로 재편되고 있다고 진단했다.

지난 4월 업무제휴를 발표한 기업은 엘피다메모리와 키몬다, 마이크론테크놀로지와 난야테크놀로지 등 2건이다.

특히 엘피다(14.1%)와 키몬다(10.5%)는 제휴로 인해 세계 DRAM 시장 점유율이 30%에 달하는 거대기업 그룹이 탄생할 것으로 예상했다.

여기에 엘피다와 밀월관계에 있는 PSC(4.8%)까지 포함하면 삼성전자를 능가하는 수준이라고 설명했다.

세계 DRAM시장의 12.7%를 보유한 4위 업체인 미국의 마이크론이 대만의 난야(4.2%)와 합작회사 메이야 테크놀로지 그룹을 설립키로 함으로써 시장점유율이 16.9%까지 상승해 하이닉스반도체(18.9%)를 턱 밑까지 위협할 것으로 내다봤다.

보고서는 이들 기업의 제휴가 거의 때를 같이 해 발표된 것은 DRAM 제조 기술이 트렌치 형 셀에서 스택형 셀로 변화하기 위한 것으로 진단했다.

스택형 셀은 트렌치형 셀에 비해 용량확보가 용이하고, 성능향상도 쉬워 트렌치구조 셀에 비해 높은 기술력이 필요한 방식이다.

엘피다와 키몬다 그룹이 공동개발하는 40nm(나노)세대 이후의 DRAM에 스택형 셀을 채용할 계획이라고 분석했다.

보고서는 또 키몬다는 현재 양상중인 트렌치형 셀을 채용한 75nm세대의 DRAM 후계로서 자사가 개발한 스택형 셀 매몰와이드선 기술에 근거하는 DRAM 양산을 이달부터 들어간 상황이라고 설명했다.

이에 따라 키몬다는 2009년 후반 46nm세대에 이어 2010년 후반에는 3Xnm세대의 양산에 들어갈 것으로 전망했다.

협회는 키몬다가 스택형 셀의 경험이 부족하다는 일부 주장에 대해 엘피다가 40nm세대 이전의 스택형 셀 기술을 키몬다에 유상으로 공여할 가능성이 있다고 예상했다.

난야 또한 양산 중인 70nm세대의 트렌치형 셀의 후계로 내년 5월부터 68nm세대의 스택형 셀에 근거한 DRAM을 양산할 경우 마이크론으로부터 라이센스를 공여받을 것으로 내다봤다.

50nm세대에 대해서도 마이크론과의 공동개발을 통해 2010년 초에 양산에 들어갈 것으로 분석했다.

이와 관련 협회 관계자는 “세계 DRAM 기업들이 업무제휴 등 구조개편을 하면서 세계 선두업체인 삼성전자와 하이닉스반도체를 위헙 할 수 있을 것”이라고 진단했다.