DB하이텍, 5G향 ‘RF프론트엔드’ 사업 확대한다

DB하이텍은 12일 130nmㆍ110nm(나노미터ㆍ1nm=10억분의 1m) 기술을 기반으로 RF SOI(Silicon On Insulator)와 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정을 확보해 ‘RF프론트엔드’ 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 IT 기기 간 송신ㆍ수신을 담당한다. 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA, Low Noise Amplifier), 전력증폭기(PA, Power Amplifier) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태다.

무선 통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파ㆍ고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속 확대되면서 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. 이에 RF프론트엔드 시장은 2019년 124억 달러(약 14조7400억 원)에서 2025년 217억 달러(약 25조8000억 원) 수준까지 높은 성장이 전망된다.

RF프론트엔드 내 여러 부품 가운데 DB하이텍이 타깃하고 있는 제품은 ‘스위치’와 ‘저잡음증폭기’(LNA, Low Noise Amplifier)다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 On/Off 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다.

특히 130nm 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우, 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다. LNA는 120GHz Cut-off frequency(차단주파수)까지 지원 가능하며 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

아울러 110nm 기술을 기반으로 한 RF HRS 공정은 우수한 가격경쟁력을 가지고 있다. 스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이며, 100GHz Cut-off frequency 성능을 가지는 LNA 소자를 보유하고 있다. 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품 지원을 위해 개발하고 있다.

DB하이텍은 팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에도 적극적으로 나서고 있다. 또 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW를 운영 중이다.