SK하이닉스는 26일 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 "하반기 핀(Pin)당 데이터 전송률 8.0Gbps의 HBM3E를 개발해 내년 상반기 양산할 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 최근 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다.
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