“SK하이닉스 ‘혁신의 오스카상’ 받는다”…차세대 저장 기술 ‘KV-CSD’, 미국 ‘R&D100 어워드’ 수상

▲SK하이닉스가 공동 개발한 메모리 저장 기술 제품 ‘KV-CSD’가 올해 R&D100 어워드에서 ‘IT/Electrical’ 부문 상을 받는다. (자료출처=R&D100 어워드)

SK하이닉스가 이른바 ‘혁신의 오스카상’이라고 불리는 미국 ‘R&D100 어워드’에서 상을 받는다. 국내 반도체 기술력이 다시 한번 세계에서 인정받은 셈이다. SK하이닉스는 향후 인공지능(AI)·빅데이터 시대에 맞춰 여러 반도체 신기술을 혁신해나간다는 계획이다.

16일 SK하이닉스에 따르면 자사가 개발에 참여한 메모리 저장 기술 제품 ‘KV-CSD’가 올해 R&D100 어워드에서 ‘IT/Electrical’ 부문 상을 받는다. 시상식은 다음 달 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌디에고에서 열린다.

‘R&D 월드 매거진’이 후원하는 R&D100 어워드는 한 해 가장 혁신적인 기술 100개를 선정한다. 혁신의 오스카상이라 불릴 만큼 전 세계 기업, 정부, 학계에서 널리 인정받는 과학 기술상이다. SK하이닉스가 R&D100 어워드에서 상을 타는 건 이번이 처음이다.

KV-CSD는 지난해 SK하이닉스가 미국 에너지부 산하 로스앨러모스국립연구소(LANL)와 함께 공동 개발한 제품이다. 세계 최초 주문형 키값 저장소 전산 저장장치다. 고성능 컴퓨팅(HPC)의 읽기와 쓰기 성능을 향상 시키는 차세대 지능형 스토리지 제품이다.

KV-CSD는 데이터에 고유의 '키'를 부여해 그 '결과 값'을 데이터로 저장한다. 데이터마다 각기 다른 키가 있어서 사용자가 자료를 찾거나 처리할 때 속도를 획기적으로 높일 수 있다.

SK하이닉스는 해당 제품을 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열렸던 ‘플래시 메모리 서밋(FMS)’에서 지난해와 올해 연달아 시연하기도 했다. FMS는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 행사다. SK하이닉스도 KV-CSD를 중요한 차세대 기술로 인식하고 있다는 의미다.

SK하이닉스 관계자는 “KV-CSD는 메모리 반도체와 관련해 중요하게 생각하는 차세대 기술 중 하나”라며 “아직 상용화 단계는 아니지만, 더 개발하고 발전시키면 향후 AI, 빅데이터, 클라우드 시스템 등에 광범위하게 사용될 것으로 기대한다”고 설명했다.

이처럼 SK하이닉스는 최근 대용량·초고속 메모리 수요 변화에 맞춰 다양한 신기술 개발에 나서고 있다.

17~19일(현지시간)에는 미국 캘리포니아주 산호세에서 열리는 ‘OCP 글로벌서밋 2023’ 행사에서는 자사의 CXL(Compute Express Link) 기술을 소개한다. CXL은 중앙처리장치(CPU), 메모리 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 PCIe 기반 차세대 인터페이스다. 해당 기술을 통해 시스템 연산 속도와 데이터 처리 속도가 빨라진다. SK하이닉스는 4분기부터 CXL 2.0 메모리를 생산할 예정이다. 이외에도 내년 상반기에는 5세대 고역폭메모리(HBM)인 HBM3E 양산에 돌입한다.