“반도체 봄 시작됐다”…삼성·SK, HBM3E 선점 경쟁 본격화

▲삼성전자 12단 HBM3E(왼쪽)와 SK하이닉스 HBM3E(오른쪽) (자료제공=각 사)

삼성전자와 SK하이닉스 모두 반도체 사업이 본격 상승 국면에 접어들었다. D램과 낸드 모두 인공지능(AI) 향 고부가 제품 판매 비중이 늘면서 실적이 대폭 개선됐다. 특히 하반기에도 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 대한 수요 증가를 기대하는 가운데, HBM3E(5세대) 시장 선점을 두고 치열한 경쟁이 예상된다.

1일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 HBM 공급 규모를 전년 대비 3배 이상 늘릴 계획이다. 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문은 올해 1분기 영업이익 1조9100억 원을 기록하면서 지난해 1분기부터 이어져 온 적자 행진을 끊어냈다. HBM 등 고부가 가치 제품에 대한 수요가 크게 늘어난 탓인데, 공급을 지속 확대해 실적 상승세를 이어나가겠다는 것이다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장 부사장은 지난달 30일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “올해 HBM 공급 규모는 전년 대비 3배 이상 늘려가고 있다. 올해 물량은 이미 고객사들과 협의가 완료된 상태”라며 “2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중”이라고 설명했다.

특히 HBM3E 생산 확대에 중점을 둘 계획이다. 8단 제품은 이달 초 이미 양산을 시작했으며, 삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 12단 제품 역시 2분기 내 양산할 예정이다. 12단 제품의 엔비디아 납품도 가시권이다. 삼성전자는 연말에는 HBM3E 판매량이 전체 HBM 판매량 가운데 3분의 2에 달할 것으로 내다봤다.

김 부사장은 “HBM3E 사업화는 고객사 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중”이라며 “8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 전망”이라고 말했다.

SK하이닉스 역시 HBM3E 수율 안정화와 캐파(생산능력) 확대에 주력할 계획이다. SK하이닉스는 지난달 25일 1분기 실적발표에서 AI향 고부가 메모리 판매가 늘면서 2조8860억 원의 영업이익을 기록했다고 밝혔다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째로 높은 수치다.

SK하이닉스는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “(HBM3E는) 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내 HBM3(4세대 HBM)와 비슷한 수율을 달성 가능할 것”이라며 “선제 투자로 생산력을 끌어올리고 있고, 수율과 품질 개선 등을 추진하면서 전사적으로 집중하고 있다”고 말했다.

SK하이닉스는 대규모 HBM 공급을 위한 시설 투자도 가속화한다.

SK하이닉스는 신규 팹인 충북 청주 M15X를 HBM 등 차세대 D램 생산기지로 결정하고, 장기적으로 20조 원을 투자한다. 또 용인 반도체 클러스터는 2027년 준공을 목표로, 미국 인디애나주 어드밴스드패키징 시설은 2028년 하반기 가동을 목표로 사업을 추진한다.

SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화할 수 있다”고 말했다.