"내년 HBM 수요 성장 2배 증가…판매 단가도 최대 10% 상승"

▲삼성전자 12단 HBM3E(왼쪽)와 SK하이닉스 HBM3E(오른쪽) (자료제공=각 사)

인공지능(AI) 시장 확대로 내년 고대역폭메모리(HBM)의 수요가 2배 증가하고, 판매 단가도 최대 10% 상승할 것이란 전망이 나왔다.

7일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 달하고, 내년에는 2배로 증가할 것으로 나타났다. 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다.

전체 D램에서 HBM의 매출 비중은 지난해 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 내년에는 30%를 넘어설 것으로 예상된다. HBM 판매 단가도 내년 5~10% 오를 것으로 나타났다.

트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇 배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 디바이스 HBM 용량을 증가시키는 AI 칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 분석했다.

이어 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 생산 능력이 제한돼 있어 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 덧붙였다.

이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다.

모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 분석했다.

트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다.

▲곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. (사진제공=SK하이닉스)

삼성전자와 SK하이닉스는 늘어나는 시장 수요에 대응하기 위해 생산 능력을 대폭 확대하고 있다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장 부사장은 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 말한 바 있다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장도 2일 기자간담회에서 "HBM은 올해 이미 '솔드아웃'(완판)이고, 내년 역시 대부분 솔드아웃됐다"고 했다.

차세대 제품 생산 역시 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 12단 제품을 2분기 이내에 양산할 예정이라고 밝혔다. SK하이닉스도 내년부터 공급하려던 HBM3E 12단 제품을 3분기에 앞당겨 양산할 수 있도록 준비하고 있다.