에이치피에스피 "세계 유일 고압 어닐링 기술 보유… 메모리ㆍ비메모리 사업 확대"

▲김용운 에이치피에스피 대표 (사진제공=에이치피에스피)

반도체 고압 어닐링 공정기술 선도기업 에이치피에스피가 코스닥 시장 상장을 앞두고 27일 온라인 기자간담회를 통해 회사 비전을 발표했다.

이날 김용운 에이치피에스피 대표이사는 “에이치피에스피는 세계 최초로 고압 수소 어닐링(Annealing) 장비를 개발하는 등 반도체 전(前)공정 분야의 독보적인 기술력을 보유했다”며 “반도체 분야 글로벌 톱티어(Top-Tier) 고객사로부터 다년간 검증받은 기술 차별성과 안전성을 기반으로 첨단기술 개발에 대한 신규투자를 통해 글로벌 시장에서의 지위를 강화할 것”이라고 설명했다.

에이치피에스피는 2017년 설립된 반도체 분야 고압 수소 어닐링 장비 제조 기업이다.

회사가 세계 최초로 개발한 고압 수소 어닐링은 소자 내 접합부의 결함을 줄여 소자 특성 및 성능을 높이는 것이다. 공정 미세화가 요구되는 반도체 공정의 기술개발 흐름에 따라 향후 수요가 더욱 커질 것으로 전망된다.

회사는 상장 후 고압 수소 어닐링 기술의 진입장벽 및 안정성을 높이기 위한 첨단기술 개발에 적극 투자할 계획이다.

또 기존 시스템 반도체 중심의 사업 영역에서 메모리 및 특수 시스템 반도체 분야로 사업영역을 확장해 전체 반도체 산업 분야를 아우르는 첨단 공정 장비 시장에서 독보적인 지위 구축을 목표로 하고 있다.

에이치피에스피의 총 공모주식수는 300만 주, 주당 공모 희망가는 2만3000원~2만5000원이다. 이번 공모를 통해 약 750억 원(희망 공모가 밴드 상단 기준)을 조달한다.

대표주관사는 NH투자증권이다. 이달 29일~30일 기관투자자 대상 수요예측을 진행해 최종 공모가를 확정하고 7월 6일~7일 일반 청약을 받은 뒤 7월 중 상장 예정이다.

에이치피에스피는 반도체 전공정 가운데 어닐링 공정에 필요한 장비를 연구, 개발 및 판매하고 있다. 특히 세계 최초로 고압 수소를 활용하는 어닐링 장비를 개발해 전체 반도체 시장에서 독보적인 기술력을 보유하고 있다.

최근 첨단 반도체의 공정미세화에 따라 높은 유전율을 보이는 대신 고온의 열처리 과정에서 불량 발생률이 높은 고유전율(High-K) 절연막 채택이 늘고 있다.

최선단 공정 반도체의 경우 낮은 열 노출량(Thermal Budget)이 요구되므로 기존의 경쟁 장비들의 고온ㆍ저압 공정 사용이 제한되는 문제점이 대두됐다.

이 과정에서 어닐링 공정이 제대로 이뤄지지 않으면 반도체 집적 회로의 구동전류 감소, 회로동작 속도 감소, 전자 이동 감소 등의 영향을 받는다는 게 회사 설명이다.

이에 에이치피에스피는 고압ㆍ고농도의 수소(H2),중수소(D2)를 사용해 저온 공정을 가능하게 하는 고압 어닐링 기술 개발을 선제적으로 완료했다.

에이치피에스피의 고압 어닐링 공정은 반도체 소자 구조 상 각 계면의 결함을 고압의 수소ㆍ중수소를 사용해 치유하는 과정으로, 이를 통해 반도체 트랜지스터 구동전류 및 집적회로 성능을 향상시킨다.

에이치피에스피가 최초 개발해 양산 검증을 완료한 고압 수소 어닐링 장비 ‘GENI Series’는 28/32nm이하 최선단 공정에서 필수적으로 사용되고 있으며 3nm 이후 공정까지 적용할 수 있는 독보적 지위를 가지고 있다.

회사는 향후에도 기술 격차를 확대하기 위해 기존 고압 어닐링 기술의 개선에 적극 투자할 계획이다. 이미 고객사의 기술적 요구사항에 즉각적으로 대응하기 위해 국내 부설 연구소, 미국 R&D 센터 등을 운영하고 있다.

에이치피에스피는 향후 △AP, CPU 등의 로직 및 파운드리 반도체 분야와 더불어 △DRAM, NAND 등의 메모리 반도체 분야 △전기차와 모바일기기 등 초고해상도 카메라에 사용되는 CIS(CMOS Image Sensor)의 특수 시스템 반도체 분야로 전방 산업 시장 범위를 확장할 계획이다.