“고객사 협력 확대에 1나노 공정도 앞당길까”…삼성, 美 파운드리 포럼에 쏠린 눈

▲최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 지난해 6월 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 기조연설을 하고 있다. (자료제공=삼성전자)

삼성전자가 미국에서 대규모 파운드리 포럼 행사를 열고, 사업 확장에 본격적으로 시동을 건다.

이번 행사는 고객사 협력 강화와 기술 혁신 방안에 초점을 둘 것으로 보인다. 특히 TSMC, 인텔 등 경쟁사들이 앞다퉈 1나노미터(㎚·10억 분의 1ｍ)급 첨단 공정 로드맵을 앞당기고 있는 만큼 삼성전자도 기존 계획을 공격적으로 수정할 것이란 관측도 나온다.

10일 업계에 따르면 삼성전자는 12∼13일(현지시간) 미국 실리콘밸리 새너제이에서 ‘삼성 파운드리 포럼·SAFE 포럼 2024’를 개최한다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장을 비롯해 파운드리 사업부 전체가 총출동한다.

구체적인 향후 기술 로드맵을 발표하고, 고객사 협력 강화를 위한 네트워킹에 주력할 예정이다. 특히 지난달 반도체 사업 지휘봉을 잡은 전영현 부회장이 취임 이후 맞는 첫 대규모 행사인 만큼 전반적인 삼성의 향후 파운드리 사업 계획을 엿볼 수 있을 전망이다.

AMD, ARM, 그로크 등 주요 고객사 주요 임원들도 연설자로 나선다.

빌 은(Bill En) AMD 기업담당 부사장이 연사로 나서 ‘Demand for Power Efficiency in the Age of AI(AI시대의 전력 효율화에 대한 요구)'라는 주제로 AI 반도체 전망을 소개할 예정이다.

특히 AMD는 이번 행사에서 삼성전자와의 협업 현황과 미래 계획 등에 관해서도 발표할 것으로 보인다. 업계는 AMD가 향후 삼성 파운드리에서 3㎚ 공정에서 협력할 것으로 점치고 있는 상황이다.

앞서 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난달 24일 벨기에 아트베르펜에서 열린 ‘아이멕테크놀로지포럼(ITF) 월드 2024’ 기조연설 무대에서 전력 효율성과 성능 향상을 위해 차세대 제품부터 3㎚ ‘게이트 올 어라운드(GAA)' 기술을 적용하겠다고 밝힌 바 있다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. GAA를 적용해 3㎚ 반도체 양산에 성공한 건 삼성전자가 유일하다.

리사 수 CEO는 최근 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2024’ 행사에서도 국내 기업들과 협업을 강화하기 위해 연내 방한하겠다고 밝혔다.

AMD 이외에도 르네 하스(Rene Haas) ARM CEO, 조나단 로스(Jonathan Ross) 그로크 CEO 등 삼성전자 주요 고객사 임원들도 연사로 나서 향후 협력 계획을 소개할 예정이다.

또한 삼성전자는 이번 행사에서 1㎚급 첨단 공정에 관한 변화된 로드맵을 발표할 가능성이 크다. 최근 경쟁사들이 시장 선점을 위해 1㎚급 공정 도입 시기를 앞당기면서 위기감이 커진 상황이다. 삼성전자는 내년 모바일을 중심으로 2㎚ 공정을 시작하고, 2027년 1.4㎚ 공정을 도입할 예정이었다.

업계 1위인 TSMC는 최근 1.6㎚급 칩 제조 기술인 ‘A16’을 2026년 하반기부터 도입하겠다고 밝혔다. 애초 TSMC는 내년 2㎚를 거쳐 2027년에 1.4㎚ 공정을 도입할 예정이었다. A16을 통해 1㎚대 진입을 1년 가량 앞당기겠다는 것이다.

인텔은 연말 1.8㎚ 공정을 통해 제품 양산을 시작한다. 계획대로 진행되면 3사 가운데 가장 빠르게 1㎚급 공정을 도입하게 되는 셈이다. 인텔은 지난해 업계 최초로 2㎚ 미만 공정에 필수적인 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 ‘하이NA EUV’를 공급받기도 했다.

전 부회장은 지난달 취임사에서 “파운드리 사업은 선두와의 격차를 좁히지 못하고 있다”며 “새로운 각오로 상황을 더욱 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 반드시 찾겠다”고 강조한 바 있다.