김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장이 “이번 달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획”이라고 말했다.
김 사장은 4일 대만에서 열린 ‘세미콘 타이완 2024’에서 ‘인공지능(AI) 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다’라는 주제로 키노트를 진행하며 이같이 밝혔다.
그는 “데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼 AI 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 한다”며 “파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다”고 말했다.
이어 “AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다”며 “이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E(5세대), 고용량 서버 DIMM, 쿼드레벨셀(QLC) 기반 고용량 eSSD와 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5T를 시장에 공급하고 있다”고 덧붙였다.
김 사장은 6세대 HBM인 HBM4뿐만 아니라 차세대 메모리 제품 개발도 순조롭다고 강조했다.
그는 “HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중”이라며 “베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정”이라고 설명했다.
이어 “LPCAMM, 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하고 있다”고 덧붙였다.
낸드 역시 최첨단 제품을 지속적으로 개발하겠다고 밝혔다.
김 사장은 “SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰다”며 “혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다”고 말했다.
아울러 “SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체”라며 “향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획”이라고 했다.
SK하이닉스는 제품, 기술 개발을 위한 연구·개발(R&D) 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다.
김 사장은 “용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정이며, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것”이라며 “또한 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는 데 도움이 될 것”이라고 강조했다.