▲SK하이닉스 로고 (사진-SK하이닉스 뉴스룸)
SK하이닉스는 24일 3분기 잠정 경영실적 컨퍼런스콜에서 “최고 특성과 품질을 가진 HBM4 개발을 위해서 파트너사(TSMC)와 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다.
이어 "HBM4는 IO 개수가 두 배 늘어나고, 저전력 기능을 내기 위해 새 스킴을 적용하고, 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 덧붙였다.
SK하이닉스는 "일반 D램과 달리 HBM은 고객 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급하는 게 중요하다"며 "안정적인 품질의 공급을 위해 1b 나노미터, 어드밴스드 MR-MUF 공정 등을 통해 내년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다.